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Tese (Doutorado)
Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (2023)
Zeidan, Ahmad Al ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
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ABNT
ZEIDAN, Ahmad Al. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Zeidan, A. A. (2023). Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
NLM
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Vancouver
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Tese (Doutorado)
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos. (2023). Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
NLM
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Vancouver
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Dissertação (Mestrado)
Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada (2023)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Curbelo, V. M. O. (2023). Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
NLM
Curbelo VMO. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
Vancouver
Curbelo VMO. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
Tese (Doutorado)
Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (2023)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, NANOPARTÍCULAS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL, INSTRUMENTO ÓPTICO
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ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Cantalice, T. F. de. (2023). Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
NLM
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
Vancouver
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
Artigo de periodico
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Lima, Marcelo Delmondes de; Jacobsen, Gabriel Marques ; Huang, T Y; Yang, Y C; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Goldman, R S; Teodoro, M D; Quivy, Alain André
Source: Solar Energy Materials and Solar Cells. Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, v. 254, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Lima, M. D. de, Jacobsen, G. M., Huang, T. Y., Yang, Y. C., et al. (2023). Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, 254. doi:10.1016/j.solmat.2023.112281
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Trabalho de evento
Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction (2022)
Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Vallejo, Kevin. D; Simmonds, Paul J; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2022). Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Trabalho de evento-resumo
INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS (2022)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, ARSÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CANTALICE, Tiago Fernandes de e QUIVY, Alain André. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2022). INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando; Alzeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Artigo de periodico
Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots (2022)
Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Alzeidan, Ahmad ; Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André ; koenraad, Paul M
Source: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, Raja Sekhar Reddy et al. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, v. 6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Gajjela, R. S. R., Alzeidan, A., Curbelo, V. M. O., Quivy, A. A., & koenraad, P. M. (2022). Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, 6. doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
NLM
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Vancouver
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Artigo de periodico
Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots (2022)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Alzeidan, Ahmad ; Jacobsen, G M ; Santos, Thales Borrely dos ; Teodoro, M D ; Quivy, Alain André
Source: Micro and Nanostructures. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, v. 172, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Santos, T. B. dos, Teodoro, M. D., & Quivy, A. A. (2022). Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, 172. doi:10.1016/j.micrna.2022.207449
NLM
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Vancouver
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Trabalho de evento-resumo
ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, M D ; Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Hendriks, A L; Koenraad, P M
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gajjela, R. S. R., et al. (2022). ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Trabalho de evento-anais periodico
Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles (2022)
Pereira, M S; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento ; Quivy, Alain André
Source: Journal of Physics: Conference Series. Conference titles: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, M S et al. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050. Acesso em: 27 abr. 2024. , 2022
APA
Pereira, M. S., Aguiar, V. Â. P. de, Alberton, S. G. P. N., & Quivy, A. A. (2022). Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012050
NLM
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Vancouver
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Trabalho de evento-resumo
IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Trabalho de evento-resumo
Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots (2020)
Cantalice, Tiago Fernandes de; Al-Zeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
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ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de e AL-ZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Cantalice, T. F. de, Al-Zeidan, A., & Quivy, A. A. (2020). Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
NLM
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Vancouver
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Relatorio tecnico
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots (2020)
Gajjela, R.S.R. ; Hendriks, A. L.; Koenraad, P M; Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA MODERNA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, SUPERFÍCIES, ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO), ARSÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, R.S.R. et al. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024. , 2020
APA
Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Koenraad, P. M., Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
NLM
Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM, Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
Vancouver
Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM, Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
Trabalho de evento-resumo
The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells (2020)
Santos, Thales Borrely dos ; Lima, Marcelo Delmondes de; Fernandes, Paulo Henrique Diniz; Al-Zeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Fernandes, P. H. D., Al-Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Artigo de periodico
Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)
Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262
NLM
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Vancouver
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262

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